1N4006FF
- Modèle de produit:
- 1N4006FF
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 55603 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1N4006FF.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1A |
| Tension - Ventilation: | DO-41 |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | 1N4006FF |
| Description élargie: | Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41 |
| Configuration diode: | 10µA @ 800V |
| La description: | DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.1V @ 1A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 800V |
| Capacité à Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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