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Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados ​​en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.
Imagen Número de pieza Descripción Ver
GHIS200A120S3B1 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Investigación
GP2D010A120B Image GP2D010A120B DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2 Investigación
S40K DIODE GEN PURP 800V 40A DO5 Investigación
1N1184A Image 1N1184A DIODE GEN PURP 100V 40A DO5 Investigación
GP1M005A050HS Image GP1M005A050HS MOSFET N-CH 500V 4A TO220 Investigación
GHIS050A060B3P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Investigación
GSXD060A012S1-D3 Image GSXD060A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227 Investigación
GP2M008A060PG Image GP2M008A060PG MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK Investigación
1N3211R DIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5 Investigación
1N1183R DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5 Investigación
GSXF030A060S1-D3 Image GSXF030A060S1-D3 DIODE FAST REC 600V 30A SOT227 Investigación
GHXS015A120S-D1E Image GHXS015A120S-D1E MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227 Investigación
MBRT200150R Image MBRT200150R DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER Investigación
GHXS060A120S-D3 Image GHXS060A120S-D3 MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227 Investigación
GSID300A125S5C1 Image GSID300A125S5C1 IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS Investigación
GSXD080A020S1-D3 Image GSXD080A020S1-D3 DIODE 200V 80A SOT227 Investigación
GSXD160A008S1-D3 Image GSXD160A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227 Investigación
S6BR DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 Investigación
S25MR DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA Investigación
FR6KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 Investigación
GHIS030A060B1P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Investigación
FR6DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 Investigación
GP2M005A060PG Image GP2M005A060PG MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK Investigación
S12MR DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 Investigación
GHXS030A120S-D4 Image GHXS030A120S-D4 DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227 Investigación
GP1M003A050CG Image GP1M003A050CG MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK Investigación
1N1199A Image 1N1199A DIODE GEN PURP 50V 12A DO4 Investigación
GP2M005A050FG Image GP2M005A050FG MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F Investigación
GP1M006A070F Image GP1M006A070F MOSFET N-CH 700V 5A TO220F Investigación
FR6JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 Investigación
GP1M010A080H Image GP1M010A080H MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220 Investigación
GP2M004A065HG Image GP2M004A065HG MOSFET N-CH 650V 4A TO220 Investigación
FR20AR02 DIODE GEN PURP REV 50V 20A DO5 Investigación
GCMS040A120B1H1 SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1 Investigación
GSXF060A060S1-D3 Image GSXF060A060S1-D3 DIODE FAST REC 600V 60A SOT22 Investigación
FR6GR02 DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 Investigación
1N1183AR DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5 Investigación
GSXD300A170S2D5 DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK Investigación
S12D Image S12D DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 Investigación
GSXD060A018S1-D3 Image GSXD060A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227 Investigación
GPA025A120MN-ND Image GPA025A120MN-ND IGBT 1200V 50A 312W TO3PN Investigación
1N1190 Image 1N1190 DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 Investigación
S25GR DIODE GEN REV 400V 25A DO203AA Investigación
GHXS030A120S-D1 Image GHXS030A120S-D1 MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227 Investigación
FR16G05 DIODE GEN PURP 400V 16A DO4 Investigación
GSXF060A120S1-D3 Image GSXF060A120S1-D3 DIODE FAST REC 1200V 60A SOT227 Investigación
GSXD050A010S1-D3 Image GSXD050A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227 Investigación
1N8028-GA Image 1N8028-GA DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 Investigación
GP2M004A060PG Image GP2M004A060PG MOSFET N-CH 600V 4A IPAK Investigación
1N2137AR DIODE GEN PURP REV 500V 60A DO5 Investigación
registros 639