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Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados ​​en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.
Imagen Número de pieza Descripción Ver
GP2M010A065F Image GP2M010A065F MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F Investigación
FR6BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 Investigación
GSXD050A004S1-D3 Image GSXD050A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227 Investigación
GSXD120A006S1-D3 Image GSXD120A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 240A SOT227 Investigación
FR20KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 20A DO5 Investigación
FR12G05 Image FR12G05 DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 Investigación
GHIS060A060S-A1 Image GHIS060A060S-A1 IGBT BOOST CHOP 600V 120A SOT227 Investigación
GP2M007A080F Image GP2M007A080F MOSFET N-CH 800V 7A TO220F Investigación
FR6BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 Investigación
GP1M016A060F Image GP1M016A060F MOSFET N-CH 600V 16A TO220F Investigación
FR30MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 30A DO5 Investigación
FR16K05 Image FR16K05 DIODE GEN PURP 800V 16A DO4 Investigación
S25Q DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO203AA Investigación
FR12KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 Investigación
S6J DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 Investigación
FR6B05 DIODE GEN PURP 100V 16A DO4 Investigación
FR40B05 DIODE GEN PURP 100V 40A DO5 Investigación
1N3673A Image 1N3673A DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 Investigación
GP2M020A060N Image GP2M020A060N MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN Investigación
GP2D010A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Investigación
1N3208 DIODE GEN PURP 50V 15A DO5 Investigación
1N3767R DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5 Investigación
GP1M013A050FH Image GP1M013A050FH MOSFET N-CH 500V 13A TO220F Investigación
1N3891R DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 Investigación
FR6J02 DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 Investigación
GP1M018A020PG Image GP1M018A020PG MOSFET N-CH 200V 18A IPAK Investigación
GSXD060A010S1-D3 Image GSXD060A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227 Investigación
GP1M005A050FH Image GP1M005A050FH MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F Investigación
S25QR DIODE GEN REV 1.2KV 25A DO203AA Investigación
S12JR DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 Investigación
GP1M003A080FH Image GP1M003A080FH MOSFET N-CH 800V 3A TO220F Investigación
S16B DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA Investigación
GHXS030A120S-D3 Image GHXS030A120S-D3 DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227 Investigación
GP1M016A025PG Image GP1M016A025PG MOSFET N-CH 250V 16A IPAK Investigación
GSID100A120T2C1 SILICON IGBT MODULES Investigación
MBRT200150 Image MBRT200150 DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER Investigación
GKN71/12 DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5 Investigación
GP2D016A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Investigación
GP1M018A020CG Image GP1M018A020CG MOSFET N-CH 200V 18A DPAK Investigación
GP2M005A060HG Image GP2M005A060HG MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220 Investigación
GP2D060A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Investigación
GKR26/12 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 Investigación
FR20MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 20A DO5 Investigación
FR20B02 DIODE GEN PURP 100V 20A DO5 Investigación
GSXF100A120S1-D3 Image GSXF100A120S1-D3 DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227 Investigación
GP2D005A065A DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2 Investigación
GKN26/08 Image GKN26/08 DIODE GEN PURP 800V 25A DO4 Investigación
S6G DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 Investigación
FR16GR02 DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4 Investigación
GHXS010A060S-D3 Image GHXS010A060S-D3 DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227 Investigación
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