W987D6HBGX6E
- Número de pieza:
- W987D6HBGX6E
- Fabricante:
- Winbond Electronics Corporation
- Descripción:
- IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 30363 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- W987D6HBGX6E.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 15ns |
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnología: | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Paquete del dispositivo: | 54-VFBGA (8x9) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 54-TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 128Mb (8M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9) |
| Frecuencia de reloj: | 166MHz |
| Tiempo de acceso: | 5.4ns |
| Email: | [email protected] |
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