W9412G6JH-5I
- Número de pieza:
- W9412G6JH-5I
- Fabricante:
- Winbond Electronics Corporation
- Descripción:
- IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 31119 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- W9412G6JH-5I.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 15ns |
| Suministro de voltaje: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Tecnología: | SDRAM - DDR |
| Paquete del dispositivo: | 66-TSOP II |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Otros nombres: | W9412G6JH5I |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 128Mb (8M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 50ns 66-TSOP II |
| Frecuencia de reloj: | 200MHz |
| Tiempo de acceso: | 50ns |
| Email: | [email protected] |
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