VS-2EFH01HM3/I
Número de pieza:
VS-2EFH01HM3/I
Fabricante:
Descripción:
DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
62716 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
VS-2EFH01HM3/I.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
Tensión - inversa de pico (máxima):Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:2A
Tensión - Desglose:DO-219AB (SMF)
Serie:-
Estado RoHS:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F:-
Polarización:DO-219AB
Temperatura de funcionamiento - Junction:16ns
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Número de pieza del fabricante:VS-2EFH01HM3/I
Descripción ampliada:Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-219AB (SMF)
configuración de diodo:2µA @ 100V
Descripción:DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB
Corriente - Fuga inversa a Vr:950mV @ 2A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):100V
Capacitancia Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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