VQ1001P
- Número de pieza:
- VQ1001P
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 79609 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- VQ1001P.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo: | 14-DIP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | - |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 110pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 4 N-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 830mA |
| Email: | [email protected] |
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