US6J2TR
- Número de pieza:
- US6J2TR
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 46005 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- US6J2TR.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
| Paquete del dispositivo: | TUMT6 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 390 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 1W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-SMD, Flat Leads |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1A 1W Surface Mount TUMT6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A |
| Número de pieza base: | *J2 |
| Email: | [email protected] |
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