TRS6E65C,S1AQ
- Número de pieza:
- TRS6E65C,S1AQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 46324 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- TRS6E65C,S1AQ.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 6A (DC) |
| Tensión - Desglose: | TO-220-2L |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tube |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | 35pF @ 650V, 1MHz |
| Polarización: | TO-220-2 |
| Otros nombres: | TRS6E65C,S1AQ(S TRS6E65C,S1Q TRS6E65C,S1Q(S TRS6E65CS1AQ TRS6E65CS1AQ(S TRS6E65CS1Q TRS6E65CS1Q-ND |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 0ns |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TRS6E65C,S1AQ |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| configuración de diodo: | 90µA @ 650V |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.7V @ 6A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 650V |
| Capacitancia Vr, F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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