TK33S10N1Z,LQ
Número de pieza:
TK33S10N1Z,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
54659 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
TK33S10N1Z,LQ.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 500µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DPAK+
Serie:U-MOSVIII-H
RDS (Max) @Id, Vgs:9.7 mOhm @ 16.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):125W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:TK33S10N1ZLQCT
Temperatura de funcionamiento:175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2050pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:33A (Ta)
Email:[email protected]

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