TK10J80E,S1E
- Número de pieza:
- TK10J80E,S1E
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET N-CH 800V TO-3PN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 72562 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- TK10J80E,S1E.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-3P(N) |
| Serie: | π-MOSVIII |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1 Ohm @ 5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 250W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Otros nombres: | TK10J80E,S1E(S TK10J80ES1E |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 800V |
| Descripción detallada: | N-Channel 800V 10A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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