SSM6N815R,LF
- Número de pieza:
- SSM6N815R,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18382 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SSM6N815R,LF.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 100µA |
| Paquete del dispositivo: | 6-TSOP-F |
| Serie: | U-MOSVIII-H |
| Potencia - Max: | 1.8W (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 6-SMD, Flat Leads |
| Otros nombres: | SSM6N815RLFDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 3.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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