SSM6J505NU,LF
- Número de pieza:
- SSM6J505NU,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 33066 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SSM6J505NU,LF.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±6V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-UDFNB (2x2) |
| Serie: | U-MOSVI |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12 mOhm @ 4A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.25W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | SSM6J505NU,LF(B SSM6J505NU,LF(T SSM6J505NULF SSM6J505NULFTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2700pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 37.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
| Descripción detallada: | P-Channel 12V 12A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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