SSM3K106TU(TE85L)
- Número de pieza:
- SSM3K106TU(TE85L)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 54286 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- 1.SSM3K106TU(TE85L).pdf2.SSM3K106TU(TE85L).pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.3V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | UFM |
| Serie: | π-MOSVI |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 310 mOhm @ 600mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 500mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 3-SMD, Flat Leads |
| Otros nombres: | SSM3K106TU(TE85L)TR SSM3K106TUTE85L |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 36pF @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | N-Channel 20V 1.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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