SQM50N04-4M0L_GE3
SQM50N04-4M0L_GE3
Número de pieza:
SQM50N04-4M0L_GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
Cantidad disponible:
5902 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SQM50N04-4M0L_GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (D²Pak)
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:4 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):150W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción detallada:N-Channel 40V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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