SQJ570EP-T1_GE3
- Número de pieza:
- SQJ570EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 26154 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SQJ570EP-T1_GE3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V |
| Potencia - Max: | 27W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Otros nombres: | SQJ570EP-T1_GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 650pF @ 25V, 600pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 10V, 15nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array N and P-Channel 100V 15A (Tc), 9.5A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 15A (Tc), 9.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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