SQD50P08-28_GE3
- Número de pieza:
- SQD50P08-28_GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
- Cantidad disponible:
- 61056 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SQD50P08-28_GE3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-252AA |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 28 mOhm @ 12.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 136W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6035pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 145nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 80V |
| Descripción detallada: | P-Channel 80V 48A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 48A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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