SQ4153EY-T1_GE3
- Número de pieza:
- SQ4153EY-T1_GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
- Cantidad disponible:
- 34477 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SQ4153EY-T1_GE3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 900mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 7.1W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 11000pF @ 6V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 151nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
| Descripción detallada: | P-Channel 12V 25A (Tc) 7.1W (Tc) Surface Mount 8-SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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