SI8261BCC-C-ISR
- Número de pieza:
- SI8261BCC-C-ISR
- Fabricante:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Descripción:
- DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 31803 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SI8261BCC-C-ISR.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Suministro de voltaje: | 13.5 V ~ 30 V |
| Voltaje - Aislamiento: | 3750Vrms |
| Voltaje hacia delante (Vf) (típico): | 2.8V (Max) |
| Tecnología: | Capacitive Coupling |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
| Tiempo de subida / bajada (típico): | 5.5ns, 8.5ns |
| Ancho de pulso Distorsión (máx.): | 28ns |
| Retardo de propagación tpLH / tpHL (Max): | 60ns, 50ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | 336-4918-2 SI8261BCC-C-ISR-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 125°C |
| número de canales: | 1 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC |
| Corriente - Salida Pico: | 4A |
| Actual - salida alta, bajo: | 500mA, 1.2A |
| Corriente - Avance DC (Si) (Máx.): | 30mA |
| Inmunidad transitoria en modo común (Min): | 35kV/µs |
| aprobaciones: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
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