SI7972DP-T1-GE3
SI7972DP-T1-GE3
Número de pieza:
SI7972DP-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
44936 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SI7972DP-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:2.7V @ 250µA
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:18 mOhm @ 11A, 10V
Potencia - Max:22W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SO-8 Dual
Otros nombres:SI7972DP-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A (Tc) 22W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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