SCT2H12NYTB
- Número de pieza:
- SCT2H12NYTB
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 47495 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- 1.SCT2H12NYTB.pdf2.SCT2H12NYTB.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 410µA |
| Vgs (Max): | +22V, -6V |
| Tecnología: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-268 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
| La disipación de energía (máximo): | 44W (Tc) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Otros nombres: | SCT2H12NYTBCT |
| Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 184pF @ 800V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 14nC @ 18V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 18V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1700V |
| Descripción detallada: | N-Channel 1700V 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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