RN4906FE,LF(CB
- Número de pieza:
- RN4906FE,LF(CB
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 26817 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- RN4906FE,LF(CB.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo de transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | ES6 |
| Serie: | - |
| Resistor - Base del emisor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Potencia - Max: | 100mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | RN4906FE(TE85L,F) RN4906FE(TE85LF)TR RN4906FE(TE85LF)TR-ND RN4906FE,LF(CT RN4906FELF(CBTR RN4906FELF(CTTR RN4906FELF(CTTR-ND |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 200MHz |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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