PDTD113ZS,126
PDTD113ZS,126
Número de pieza:
PDTD113ZS,126
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
61294 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
PDTD113ZS,126.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:TO-92-3
Serie:-
Resistor - Base del emisor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):1 kOhms
Potencia - Max:500mW
embalaje:Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres:934059145126
PDTD113ZS AMO
PDTD113ZS AMO-ND
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA
Número de pieza base:PDTD113
Email:[email protected]

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