NVD5C648NLT4G
- Número de pieza:
- NVD5C648NLT4G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- T6 60V LL DPAK
- Cantidad disponible:
- 32298 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- NVD5C648NLT4G.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DPAK |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.1 mOhm @ 45A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 3.1W (Ta), 72W (Tc) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 21 Weeks |
| Estado sin plomo: | Lead free |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2900pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción detallada: | N-Channel 60V 18A (Ta), 89A (Tc) 3.1W (Ta), 72W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta), 89A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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