NHPJ08S600G
- Número de pieza:
- NHPJ08S600G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17514 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- NHPJ08S600G.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 8A |
| Tensión - Desglose: | TO-220FP |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tube |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | TO-220-2 Full Pack |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 50ns |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | NHPJ08S600G |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220FP |
| configuración de diodo: | 30µA @ 600V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 3.2V @ 8A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 600V |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
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