MURTA200120
- Número de pieza:
- MURTA200120
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13084 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- MURTA200120.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 2.6V @ 100A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V |
| Paquete del dispositivo: | Three Tower |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Three Tower |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| configuración de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción detallada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 100A Chassis Mount Three Tower |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 25µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 100A |
| Email: | [email protected] |
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