MURT10060R
- Número de pieza:
- MURT10060R
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 33716 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- MURT10060R.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 100A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 600V |
| Paquete del dispositivo: | Three Tower |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 75ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | Three Tower |
| Otros nombres: | MURT10060RGN |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -40°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard, Reverse Polarity |
| configuración de diodo: | - |
| Descripción detallada: | Diode Array Standard, Reverse Polarity 600V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 25µA @ 50V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 100A (DC) |
| Email: | [email protected] |
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