MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR
- Número de pieza:
- MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC DRAM 64G 2133MHZ
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 68456 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 1.1V |
| Tecnología: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Otros nombres: | MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR-ND MT53D1G64D8NZ-046WT:ETR |
| Temperatura de funcionamiento: | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 64Gb (1G x 64) |
| Interfaz de memoria: | - |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 64Gb (1G x 64) 2133MHz |
| Frecuencia de reloj: | 2133MHz |
| Email: | [email protected] |
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