MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR
Número de pieza:
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR
Fabricante:
Micron Technology
Descripción:
IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
69532 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:15ns
Suministro de voltaje:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología:SDRAM - Mobile LPDDR
Paquete del dispositivo:60-VFBGA (10x10)
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:60-VFBGA
Otros nombres:MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR-ND
MT46H128M16LFB7-5WT:BTR
Temperatura de funcionamiento:-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:2Gb (128M x 16)
Interfaz de memoria:Parallel
Formato de memoria:DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 200MHz 5.0ns 60-VFBGA (10x10)
Frecuencia de reloj:200MHz
Número de pieza base:MT46H128M16
Tiempo de acceso:5.0ns
Email:[email protected]

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