MMUN2217LT1G
- Número de pieza:
- MMUN2217LT1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 51491 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- MMUN2217LT1G.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Tipo de transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | - |
| Resistor - Base del emisor (R2): | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 4.7 kOhms |
| Potencia - Max: | 246mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | MMUN2217LT1G-ND MMUN2217LT1GOSTR |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 36 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 35 @ 5mA, 10V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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