MBRT20030
- Número de pieza:
- MBRT20030
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 10878 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- MBRT20030.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Schottky |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1 Pair Common Cathode |
| Tensión - Desglose: | Three Tower |
| Velocidad: | 200A (DC) |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Polarización: | Three Tower |
| Otros nombres: | MBRT20030GN |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 4 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MBRT20030 |
| Descripción ampliada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| configuración de diodo: | 1mA @ 20V |
| Descripción: | DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 750mV @ 100A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 30V |
| Email: | [email protected] |
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