MB85R256FPF-G-BNDE1
- Número de pieza:
- MB85R256FPF-G-BNDE1
- Fabricante:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- Descripción:
- IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 5766 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- MB85R256FPF-G-BNDE1.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 150ns |
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Paquete del dispositivo: | 28-SOP |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) |
| Otros nombres: | 865-1171 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 256Kb (32K x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | FRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-SOP |
| Tiempo de acceso: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
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