JAN1N3600
- Número de pieza:
- JAN1N3600
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 59528 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- JAN1N3600.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 200mA (DC) |
| Tensión - Desglose: | DO-7 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/231 |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | DO-204AA, DO-7, Axial |
| Otros nombres: | 1086-16797 1086-16797-MIL |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 4ns |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | JAN1N3600 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 50V 200mA (DC) Through Hole DO-7 |
| configuración de diodo: | 100nA @ 50V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1V @ 200mA |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 50V |
| Capacitancia Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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