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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTQ80N28T
IXTQ80N28T
IXTQ80N28T
Número de pieza:
IXTQ80N28T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17857 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IXTQ80N28T.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:49 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):500W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:115nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:280V
Descripción detallada:N-Channel 280V 80A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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