español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTQ120N15T
IXTQ120N15T
IXTQ120N15T
Número de pieza:
IXTQ120N15T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
58112 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
IXTQ120N15T.pdf
Investigación

Introducción

We can supply IXTQ120N15T, use the request quote form to request IXTQ120N15T pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXTQ120N15T.The price and lead time for IXTQ120N15T depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXTQ120N15T.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs:16 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:150nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción detallada:N-Channel 150V 120A (Tc) Through Hole TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXTQ120N15T

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXTQ10P50P Image IXTQ10P50P IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P Investigación
IXTQ110N10P Image IXTQ110N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P Investigación
IXTP98N075T Image IXTP98N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 98A TO-220 Investigación
IXTQ120N20P Image IXTQ120N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P Investigación
IXTQ102N15T Image IXTQ102N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P Investigación
IXTQ160N075T Image IXTQ160N075T IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 160A TO-3P Investigación
IXTQ140N10P Image IXTQ140N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P Investigación
IXTQ152N085T Image IXTQ152N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 152A TO-3P Investigación
IXTQ150N15P Image IXTQ150N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P Investigación
IXTQ130N15T Image IXTQ130N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P Investigación
IXTQ120N15P Image IXTQ120N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P Investigación
IXTQ14N60P Image IXTQ14N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P Investigación
IXTQ130N10T Image IXTQ130N10T IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P Investigación
IXTQ102N25T Image IXTQ102N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P Investigación
IXTQ150N06P Image IXTQ150N06P IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P Investigación
IXTQ110N055P Image IXTQ110N055P IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P Investigación
IXTQ102N20T Image IXTQ102N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 102A TO3P Investigación
IXTQ100N25P Image IXTQ100N25P IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P Investigación
IXTQ160N085T Image IXTQ160N085T IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P Investigación
IXTP96P085T Image IXTP96P085T IXYS Corporation MOSFET P-CH 85V 96A TO-220 Investigación

Latest Noticias