IXFN50N120SIC
- Número de pieza:
- IXFN50N120SIC
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH
- Cantidad disponible:
- 25979 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- IXFN50N120SIC.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.2V @ 2mA |
| Vgs (Max): | +20V, -5V |
| Tecnología: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-227B |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 50 mOhm @ 40A, 20V |
| La disipación de energía (máximo): | - |
| Paquete / Cubierta: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 32 Weeks |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1900pF @ 1000V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 100nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1200V |
| Descripción detallada: | N-Channel 1200V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 47A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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