IS49RL36160-125EBL
- Número de pieza:
- IS49RL36160-125EBL
- Fabricante:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Descripción:
- IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 59828 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- IS49RL36160-125EBL.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 1.28 V ~ 1.42 V |
| Tecnología: | DRAM |
| Paquete del dispositivo: | 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 168-LBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 576Mb (16M x 36) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | DRAM Memory IC 576Mb (16M x 36) Parallel 800MHz 10ns 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) |
| Frecuencia de reloj: | 800MHz |
| Tiempo de acceso: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
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