IS29GL512S-11DHB023
- Número de pieza:
- IS29GL512S-11DHB023
- Fabricante:
- Cypress Semiconductor
- Descripción:
- IC FLASH 512M PARALLEL
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 77958 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- IS29GL512S-11DHB023.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 60ns |
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | FLASH - NOR |
| Paquete del dispositivo: | 64-Fortified BGA (9x9) |
| Serie: | GL-S |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 64-LBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 512Mb (64M x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | FLASH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 110ns 64-Fortified BGA (9x9) |
| Tiempo de acceso: | 110ns |
| Email: | [email protected] |
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