IRF5851TR
- Número de pieza:
- IRF5851TR
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 14646 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- IRF5851TR.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.25V @ 250µA |
| Paquete del dispositivo: | 6-TSOP |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 960mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.7A, 2.2A |
| Email: | [email protected] |
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