Condición | New & Unused, Original Packing |
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Origen | Contact us |
VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 253µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TO263-3-2 |
Serie: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 137W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Otros nombres: | IPB80P03P4-05 IPB80P03P4-05-ND IPB80P03P405ATMA1TR SP000396282 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 10300pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción detallada: | P-Channel 30V 80A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |