Condición | New & Unused, Original Packing |
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Origen | Contact us |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.9 V |
Tecnología: | SRAM - Synchronous, QDR II |
Paquete del dispositivo: | 165-CABGA (13x15) |
Serie: | - |
embalaje: | Tray |
Paquete / Cubierta: | 165-TBGA |
Otros nombres: | 71P74604S200BQG |
Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria: | Volatile |
Tamaño de la memoria: | 18Mb (512K x 36) |
Interfaz de memoria: | Parallel |
Formato de memoria: | SRAM |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada: | SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 8.4ns 165-CABGA (13x15) |
Frecuencia de reloj: | 200MHz |
Número de pieza base: | IDT71P74 |
Tiempo de acceso: | 8.4ns |
Email: | [email protected] |