HN1B04FU-GR,LF
- Número de pieza:
- HN1B04FU-GR,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18281 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- HN1B04FU-GR,LF.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Tipo de transistor: | NPN, PNP |
| Paquete del dispositivo: | US6 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 200mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres: | HN1B04FU-GR(L,F,T) HN1B04FU-GR(LFT)TR HN1B04FU-GR(LFT)TR-ND HN1B04FU-GR,LF(B HN1B04FU-GR,LF(T HN1B04FU-GRLF HN1B04FU-GRLF-ND HN1B04FU-GRLFT HN1B04FU-GRLFTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 125°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 150MHz |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 2mA, 6V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
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