GPAS1007 MNG
- Número de pieza:
- GPAS1007 MNG
- Fabricante:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 10A TO263AB
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 27773 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- GPAS1007 MNG.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 10A |
| Paquete del dispositivo: | TO-263AB (D²PAK) |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | GPAS1007 MNG-ND GPAS1007MNG |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 1000V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A |
| Capacitancia Vr, F: | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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