GB05SLT12-252
- Número de pieza:
- GB05SLT12-252
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 62695 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- GB05SLT12-252.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 5A |
| Tensión - Desglose: | TO-252 |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Polarización: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | 1242-1129 GB05SLT12252 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 0ns |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | GB05SLT12-252 |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A Surface Mount TO-252 |
| configuración de diodo: | 50µA @ 1200V |
| Descripción: | DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.8V @ 2A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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