GA50JT06-258
Número de pieza:
GA50JT06-258
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
TRANS SJT 600V 100A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
60307 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
GA50JT06-258.pdf

Introducción

We can supply GA50JT06-258, use the request quote form to request GA50JT06-258 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number GA50JT06-258.The price and lead time for GA50JT06-258 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# GA50JT06-258.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):-
Tecnología:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Paquete del dispositivo:TO-258
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:25 mOhm @ 50A
La disipación de energía (máximo):769W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-258-3, TO-258AA
Otros nombres:1242-1253
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo FET:-
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:600V 100A (Tc) 769W (Tc) Through Hole TO-258
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios