FQD3P50TM-AM002BLT
Número de pieza:
FQD3P50TM-AM002BLT
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
QF -500V 4.9OHM DPAK
Cantidad disponible:
58728 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FQD3P50TM-AM002BLT.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252, (D-Pak)
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:4.9 Ohm @ 1.05A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 50W (Tc)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:FQD3P50TM_AM002BLT
FQD3P50TM_AM002BLT-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante:9 Weeks
Estado sin plomo:Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción detallada:P-Channel 500V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.1A (Tc)
Email:[email protected]

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