FQB8N60CTM-WS
- Número de pieza:
- FQB8N60CTM-WS
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V 7.5A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 27845 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- FQB8N60CTM-WS.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | QFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 3.75A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | FQB8N60CTM-WSCT FQB8N60CTM_WSCT FQB8N60CTM_WSCT-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1255pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción detallada: | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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