FJN4311RBU
- Número de pieza:
- FJN4311RBU
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 78176 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- FJN4311RBU.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 40V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Tipo de transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistor - Base (R1): | 22 kOhms |
| Potencia - Max: | 300mW |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 200MHz |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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