FDPF2D3N10C
Número de pieza:
FDPF2D3N10C
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
Cantidad disponible:
17546 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
FDPF2D3N10C.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 700µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220F
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.3 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):45W (Tc)
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante:39 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11180pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:152nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:N-Channel 100V 222A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:222A (Tc)
Email:[email protected]

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