español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > EPC2104
EPC2104
EPC2104
Número de pieza:
EPC2104
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
75923 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
EPC2104.pdf
Investigación

Introducción

We can supply EPC2104, use the request quote form to request EPC2104 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2104.The price and lead time for EPC2104 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2104.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 5.5mA
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:6.3 mOhm @ 20A, 5V
Potencia - Max:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:917-1184-2
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de EPC2104

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA Investigación
EPC2102ENG Image EPC2102ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Investigación
EPC2101ENG Image EPC2101ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE Investigación
EPC2100ENGRT Image EPC2100ENGRT EPC MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE Investigación
EPC2107ENGRT Image EPC2107ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE Investigación
EPC2103ENG Image EPC2103ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Investigación
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA Investigación
EPC2101ENGRT Image EPC2101ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Investigación
EPC2103 Image EPC2103 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Investigación
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE Investigación
EPC2102 Image EPC2102 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Investigación
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Investigación
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Investigación
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Investigación
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Investigación
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Investigación
EPC2101 Image EPC2101 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Investigación
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Investigación
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Investigación
EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE Investigación

Latest Noticias